目标人才条件：

半导体研究领域博士研究生以上学历，拥有自主发明专利或研究学术论文1项以上。

目标项目要求（包括但不限于技术、产品、创新等方面要求）：

IGBT功率半导体项目，解决高端绝缘栅双极型晶体管能源变换与传输问题。

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